与非网 3 月 31 日讯，美光宣布将在 2018 年暂停 HMC 的工作，并决定致力于 GDDR6 和 HBM 的开发。因此他们将会在今年的某个时候发布搭载HBM2DRAM的产品。

美光此前的开发重心都放在专有的混合存储多维数据集(HMC)DRAM 类型上，但该类型的 DRAM 并没有获得太多客户的青睐，因此没有获得足够的支持。

据悉，美光将会在今年的某个时候发布搭载 HBM2 DRAM 的产品。在其最新财报中，披露了旗下第二代高带宽存储器(HBM2)即将开始出货。由于价格相对高昂，HBM2 主要应用于高性能显卡、服务器处理器以及高端处理器中。

根据标准，第二代高带宽存储器(HBM2)指定每个堆栈 8 个裸晶及每针传输速度上至 2 GT/s 的标准。为保持 1024 bit 的访问，第二代高带宽存储器得以在每个封装中达到 256GB/s 的内存带宽及最高 8GB 容量。业界预测第二代高带宽存储器对极其需要性能的应用程序，如虚拟现实，至关重要。

三星半导体早在 2016 年 1 月 19 日就宣布第二代高带宽存储器的进入早期量产阶段，每个堆栈均拥有 8GB 的内存；SK 海力士随即宣布在 2016 年 8 月发布 4GB 版本的内存。

虽然美光有点姗姗来迟，但是随着美光即将出货 HBM2 显存，存储器市场将再次形成三雄鼎立的局面。