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台积电一直是芯片制造行业的巨头，市场份额世界第一，远超三星、中芯国际、英特尔等竞争对手。但是并不意味着台积电就可以高枕无忧，因为三星也在加紧攻克先进工艺。

目前台积电和三星都成功突破了5nm量产技术，并且各自生产出A14，骁龙888等高端旗舰芯片。据台积电的工艺路线可知，更先进的3nm需要到2022年下半年才能实现量产。在此之前，还处在部署阶段。

然而，三星传来新消息，率先台积电在3nm取得突破。据三星宣布，3nm芯片已经实现了流片。在与新思科技合作后，双方共同开发出了GAA架构，在这一架构下，3nm制程的芯片完成的流片测试。

而且在性能方面，3nm的GAA工艺超越了台积电的3nm FinFET架构。相比于5nm制程，三星的3nm功耗可以降低50%，性能提升30%。整体的芯片运行效率，性能表现都实现了质的飞跃。

三星传来3nm的新消息，流片意味着三星已经完成了芯片测试。接下来就是等待进一步的大规模量产，就算再慢，恐怕也能在台积电量产3nm之前，取得量产突破。

人类的芯片工艺节点再次向前迈进，以前一直是台积电处于领先地位。几乎每一项的工艺制程都是台积电率先实现突破，包括5nm也比三星提前几个季度量产。可是台积电始料未及，万万没有想到三星的发展速度这么快。

或许从3nm开始，三星要开始发力了。值得注意的是，三星能够这么快取得3nm的流片，其实是和美国新思科技公司共同努力的成果，双方参与了GAA架构的流片研究，实现比FinFET更好的静电特性。

三星通过合作的方式取得3nm的突破，而台积电一直是单打独斗。但不论如何，取得的突破都是实实在在地。不只是3nm，2nm恐怕也会是三星领先。

今年5月份传来IBM公司研制出2nm芯片的消息，这一消息的传出引起世界半导体行业的

不过这家美国计算机公司并不具备实际制造的能力，研制出2nm也仅仅是制造技术。将来IBM如果要打造2nm的话，很大程度上会和三星合作，把这项2nm芯片制造技术交给三星生产。

关于2nm，台积电还并未传来相关技术进展，虽然不排除保密的原因，但如果得到IBM 2nm芯片技术的支持，三星有望引领一个工艺制程时代的发展。这也是台积电始料未及的地方。

三星已经在加快脚步了，虽然台积电在产能，市场份额都有领先优势，但三星并没有放弃追赶。目标是在未来十年内，超越台积电成为全球最大的芯片厂商。

对此，三星还将2030年之前的投资提升至1514亿美元，在非存储芯片领域加大投资力度。和台积电正面竞争，并一举超越台积电。

那么三星的目标能否实现呢？就目前三星的发展趋势来看，已经在某个技术领域威胁到台积电的地位了。如果三星能大幅度提升产能，并且稳定良率的话，或许会缩短和台积电市场份额的距离。

而且摩尔定律终会走到尽头，台积电发展得再快，也终有放慢脚步的一天。到时候三星的机会就来了，不过三星还并未取得3nm的量产，想要超越台积电不是一个小目标。就看三星是否还有更多的底牌了。

三星3nm流片成功，这对芯片行业无疑是一个重磅消息。不仅给了全球半导体更大的市场空间，也让各大巨头们开始加速3nm的研发设计。

不出意外，明年下半年会迎来一系列的3nm芯片产品上市，在消费市场的背后，其实也是台积电，三星的暗自较量。三星不会放弃追赶，台积电也会继续前进，谁能更胜一筹，让我们拭目以待。

对三星3nm流片成功你有什么看法呢？

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