对3D闪存来说，堆栈层数越多，容量就越大，存储密度就越高，这是3D闪存的核心竞争力，2020年全球将大规模量产100+层的3D闪存。

不过每家的技术方案不同，东芝、西数的BiCS 5代3D闪存是112层的，美光、SK海力士有128层的，Intel的是144层，而且是浮栅极技术的，三星去年推出的第六代V-NAND闪存做到了136层，今年也是量产的主力。

韩媒报道称三星可能会大幅改进制造工艺，从现在的单堆栈（single-stack）升级到双堆栈（double-stack），以便制造更高层数的3D闪存。

在136层之后，三星目前正在研发160层及以上的3D闪存，将成为第七代V-NAND闪存的基础。

考虑到三星在NAND闪存行业占据了超过1/3的份额，实力是最强的，不出意外160+层堆栈的闪存应该也会是他们首发，继续保持闪存技术上的优势，拉开与对手的差距。

其实单从层数上来说，三星的160层+还不是最高的，SK Hynix去年宣布正在研发176层堆栈的4D闪存，不过他们的闪存结构甚至命名都跟其他厂商有所不同，不能单看层数高低。

前几天，原来的东芝存储更名后的铠侠存储发布了13款新品，借着这次机会，铠侠也在不经意间彻底淘汰了OCZ品牌。

作为NADN闪存的发明人，东芝存储（TMC）在闪存行业仅次于三星，BiCS闪存技术路线也是独一份的。

责编：Yvonne Geng