机械硬盘速度太慢，固态硬盘读写次数有限，有没有两全其美的方案？
别担心，业界大鳄们给出了振奋人心的答复，和传统固态硬盘相比：
读取速度快100倍；写入速度快1000倍；存储密度高40倍；85°C以下反复擦写次数大于100亿次；28nm制造工艺即可封装量产。以上新特性是否看到目瞪口呆？莫慌，不同厂家给出的方案略有不同，有的倾向于复写次数和环境可靠度，有的倾向于低制程高良品率，有的倾向于更高级别的读写速度，且让我们看看各家区别。
耐久度冠军：三星（Samsung）eMRAM内存eMRAM：即嵌入式磁阻内存。名为内存，实际上MRAM是一种非易失性存储，也就是支持断电存储数据。不仅如此，它的读写速度和SRAM、DRAM不相上下，且磁阻型存储颗粒的最大优势就在于写入数据前无需擦除循环，因此在耐久度上几乎处于无敌一般的存在。
我们把三星这款eMRAM内存的优缺点总结一下：
更适合物联网、人工智能、工控环境使用；读写速度堪比内存DRAM、SRAM，（约为eFLASH的1000倍）；磁阻型存储颗粒，写入数据无需擦除循环，耐久度大幅提升；105°C高温下复写次数1亿次；85°C高温下复写次数100亿次；常温下复写次数1万亿次；工作功耗、电压极低，待机几乎不耗电，能效比极强；仅需28nm制造工艺即可风格装制造（三星采用28nm FD-SOI全耗尽型绝缘层上硅打造）；容量太小，目前商业化量产制品最高容量约为1Gb（128MB）。ReRAM：即非易失性阻变式存储器。2016年，中芯国际参投Crossbar（一家存储技术研发企业）。这家公司的创始人是来自清华大学物理系的卢伟。他在美国莱斯大学拿下物理系博士学位之后，于哈佛大学任博士后研究员，十余年间潜心研究ReRAM技术，并获得重大突破。
中芯国际目前参与的ReRAM芯片技术，对比传统的NAND固态硬盘有以下特点：
更适合高性能电脑使用；读写性能提速100倍；写入性能提速1000倍；耐久度（重复擦写）提高1000倍；存储密度提升40倍；远期成本极为乐观（200mm²单芯片可实现TB级存储量）；结构简单，对量产封装的设备要求不高，现有的28nm甚至40nm即可完成。作为芯片业巨头的台积电，对存储芯片领域态度一向较为暧昧。对于未来替代现有固态硬盘存储技术的方案，台积电没有像上述两家企业一样只做选择题，而是分别在2017年底和2018年底对eRRAM（嵌入式可变电阻式记忆体）、eMRAM两种芯片方案进行了试产。
几种不同方案存储芯片的对照表
总结NAND作为当下主流的固态存储方案，未来3~5年内仍将是主流。在当前出货量表现上，以TLC和QLC挑大梁的情况下，用户对SSD擦写寿命的担忧还是客观存在的。上述多种新型存储方案的逐步成熟，或将从根本上摆脱消费者对固态存储器使用寿命、可靠度等方面的顾虑，并且在性能表现上亦可获得突飞猛进的大幅提升。
参考阅读：
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