就部分网传中芯国际今年出产7nm的报道，《电子工程专辑》致电相关人士了解N+1工艺节点细节，得到以下解释：

【至于N + 1，我们的NTO是去年第四季度。目前正处于客户产品验证阶段，我们预计第四季度会产生有限产量。

关于N + 1，如果我们比较14nm和N+1，N+1性能提高了20％，功耗降低了57％，逻辑面积降低了63％，SOC面积降低了55％。因此与市场上的7nm相比，实际上在功率和稳定性方面非常相似，唯一的区别是性能，N + 1的性能提高了约20％，但就市场基准而言，大概是35％。这是唯一的差距。

因此，就功率和稳定性而言，您可以将其称为7nm，而在性能方面确实要比7nm差。我们对N + 1的目标是低成本的应用，可以将成本相对7nm减少10%左右。因此，这是一个非常特殊的应用。】

根据以上说明，“N+1”是中芯国际的官方代号，中芯国际并没有说它是7nm节点。部分网传可能是曲解了中芯国际Co-CEO梁孟松博士在最近的财政年度报告会议的内容。

也有专业人士分析，从参数上来看，这个n+1实际上就是台积电和三星的10nm节点，因为它只提升了20%的性能，远低于台积电计划的30%和实际的35%——业界现在以35%为市场基准。这么低的性能提升显然不能被称为7nm，它更像三星的第二代10nm和第三代10nm（就是8nm）。

综上，今年第四季度量产的应该是14nm的优化版本12nm，在进入7nm之前，随着14nm华为的订单的导入，期待中芯国际能拿到更多的14/12nm订单，以便为7nm的研发积蓄力量。

《电子工程专辑》从SMIC官方声明中了解到，EUV对于目前N+1阶段是不必要的，当然如果未来能从ASML得到EUV，可能对N+2有用。

N+2与7nm的稳定性接近，但性能还是差一些。

前段时间中芯国际四季度财报中，粱孟松博士也明确说中芯国际可以不用EUV的光刻机实现7nm工艺（当然后面5nm/ 3nm还是要用的）。

从TSMC的历史经验来看，第一代7nm（低功耗的N7）没用EUV，后面一些衍生版本才用到——而且用的不多，据称大几十层光罩中，只有屈指可数的几层用了EUV。

当然，中芯国际如果今年能拿到ASML的光刻机的话，下一代节点的演进肯定会加速。